Bei der Herstellung von SI-Wafer, MEMS, MST, GaAs- und III/V-Halbleitern sind nasschemische Bearbeitungsschritte erforderlich. Die STANGL Nassprozessanlagen bieten eine höchst effektive und präzise nasschemische Bearbeitung der Substrate. Die Kunden erhalten eine technologische Spitzenleistung in der Entwicklung, Fertigung und im Service:
- Modernste Technologien kommen zum Einsatz
- strengste Qualitätsmaßstäbe werden eingehalten
- modularer und servicefreundlicher Aufbau der Anlagen
- ergonomisch und bedienerfreundlich.
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